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Translating…
| 品牌 | 维安半导体 |
|---|---|
| 型号 | WMJ53N65C4 |
| 封装 | TO-247 |
| 批号 | 22+ |
| FET类型 | N 沟道 SJ-MOS F2 |
| 漏源电压（Vdss） | 650V |
| 漏极电流(Id) | 26A |
| 漏源导通电阻(RDS On) | 0.07 |
| 栅源电压(Vgs) | ±30 |
| 栅极电荷(Qg) | 58nc |
| 反向恢复时间 | 280ns |
| 最大耗散功率 | 34 |
| 工作温度范围 | -55to +150°C |
| 安装类型 | 直插 |
| 应用领域 | 家用电器,测量仪器,智能家居,网络通信,医疗电子,照明电子 |
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