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| 品牌 | 维安半导体 |
|---|---|
| 型号 | WMO50P04T1 |
| 封装 | TO-252 |
| 批号 | 22+ |
| FET类型 | P沟道 |
| 漏源电压（Vdss） | -40V |
| 漏极电流(Id) | 参考规格书 |
| 漏源导通电阻(RDS On) | 20 |
| 栅源电压(Vgs) | ±20 |
| 栅极电荷(Qg) | 参考规格书 |
| 反向恢复时间 | 参考规格书 |
| 最大耗散功率 | 参考规格书 |
| 工作温度范围 | -55to +150°C |
| 安装类型 | 贴片 |
| 应用领域 | 家用电器,3C数码,汽车电子,智能家居,网络通信,安防设备,照明电子 |
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